[21a-S223-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [21a-S223-6] 光電子分光による Cr 添加 AlN のバンド構造の研究

〇(M1)立溝 信之¹、園田 早紀¹、山根 宏之²、田中 清尚² (1.京都工繊大、2.分子研)

キーワード：光電子分光、窒化アルミニウム、3d遷移金属

Cr添加AlN薄膜は紫外-可視-赤外の超広帯域光電変換が可能なマルチバンドギャップ物質となることが期待されている。このCr添加AlNのバンド構造を解明するため、光電子分光法（PES）により価電子帯スペクトル、光電子収量分光法（PYS）により最高電子占有状態のポテンシャルを測定した。その結果、Cr3d軌道が主成分の新しい電子占有状態がAlNの禁制帯中に形成されていることが明らかになった。