[21a-S323-1~11] 9.3 ナノエレクトロニクス

[21a-S323-10] フローティングゲート電極を有するナノ粒子単電子トランジスタ

〇東 康男¹、坂本 雅典²、寺西 利治²、真島 豊¹ (1.東工大応セラ、2.京大化研)

キーワード：単電子トランジスタ、ナノ粒子

無電解メッキと自己組織化のボトムアップ手法を組み合わせると、ナノスケールで構造を精密に制御した単電子デバイスを再現性よく化学的に組みたてることができる。これまでに我々は無電解金メッキにより作製したナノギャップ電極と化学的に合成した金ナノ粒子を用いて、単電子トランジスタを作製し、1つのSETによる全ての２入力演算の実証を行ってきた。本報告ではフローティングゲート電極を有するナノ粒子単電子トランジスタを作製し、メモリ動作を実証したので報告する。