The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.1 Carbon nanotubes & other nanocarbon materials

[21a-S421-1~11] 17.1 Carbon nanotubes & other nanocarbon materials

Mon. Mar 21, 2016 9:15 AM - 12:15 PM S421 (S4)

Shohei Chiashi(Univ. of Tokyo)

9:15 AM - 9:30 AM

[21a-S421-1] SWNT growth from Rh catalysts below 400°C by alcohol gas source method in high vacuum

Akinari Kozawa1, Hoshimitsu Kiribayashi1, Seigo Ogawa1, Takahiro Saida1, Shigeya Naritsuka1, Takahiro Maruyama1 (1.Meijo Univ.)

Keywords:single walled carbon nanotube

SWNTは様々な優れた電気的特性を有することから,エレクトロニクス材料への応用が期待されている。SWNTデバイス実現のためには,低圧力・低温下でSWNT成長を行う技術が必要である。これまで我々のグループでは高融点金属であるRh触媒を用いて高真空下でSWNT成長を行い,成長温度400°CでのSWNT成長の報告をしてきた。今回,成長温度の更なる低温化を試みるとともに,生成したSWNTの直径やカイラリティなど構造評価を行ったので報告する。