[21a-S421-1~11] 17.1 Carbon nanotubes & other nanocarbon materials

[21a-S421-2] Effects of fabrication methods of Al₂O₃ buffer layers on single walled carbon nanotube growth from Rh catalysts

〇Hoshimitsu Kiribayashi¹, Seigo Ogawa¹, Akinari Kozawa¹, Takahiro Saida¹, Shigeya Naritsuka¹, Takahiro Maruyama¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:single walled carbon nanotube,buffer layer

単層カーボンナノチューブ(SWNT)は様々な優れた電気的特性をもつことからエレクトロニクス分野への応用が期待されている。そのため，成長温度の低温化が望まれているが低温成長における成長量は十分ではない。Al₂O₃バッファ層を触媒担持層として導入することで成長量が劇的に増加した。本研究ではAl₂O₃バッファ層の作製方法の違いがSWNT成長に与える影響を明らかにし，その原因について考察する。