[21a-S421-1~11] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[21a-S421-2] Rh触媒を用いた単層カーボンナノチューブ成長におけるAl₂O₃バッファ層作製法の検討

〇桐林 星光¹、小川 征悟¹、小澤 顕成¹、才田 隆広¹、成塚 重弥¹、丸山 隆浩¹ (1.名城大理工)

キーワード：単層カーボンナノチューブ、バッファ層

単層カーボンナノチューブ(SWNT)は様々な優れた電気的特性をもつことからエレクトロニクス分野への応用が期待されている。そのため，成長温度の低温化が望まれているが低温成長における成長量は十分ではない。Al₂O₃バッファ層を触媒担持層として導入することで成長量が劇的に増加した。本研究ではAl₂O₃バッファ層の作製方法の違いがSWNT成長に与える影響を明らかにし，その原因について考察する。