[21a-S422-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[21a-S422-9] 石英基板上のInGaAs MOSFETの高周波特性

〇久米 英司¹、石井 裕之²、服部 浩之²、Chang Wen-Hsin²、小倉 睦郎¹、前田 辰郎² (1.アイアールスペック、2.産総研ナノエレ)

キーワード：InGaAs on 石英基板、高周波デバイス

DWBにより石英基板上にInGaAs MOSFETを作製した。DC特性はp-InP基板上と同程度の示したのに対して、RF特性では石英基板上での遮断周波数がp-InP基板上と比べて約15倍大きかった。