[21a-S423-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

[21a-S423-10] ZnS:Cu蛍光体への高エネルギー電子線照射による長残光性の出現

〇稲垣 徹^1,2、石垣 雅³、大観 光徳^2,4、堀 史説⁵、岩瀬 彰宏⁵ (1.宇部興産株式会社、2.鳥大院工、3.鳥大TiFREC、4.鳥大TEDREC、5.大阪府立大)

キーワード：長残光蛍光体、ZnS:Cu、高エネルギー電子線照射

近年、長残光蛍光体に関する研究が盛んに行なわれている。ナノ蛍光体への長残光性の付与は、母体であるナノ結晶に欠陥準位が生成されにくい事や、ナノ結晶へ複数の希土類元素を付活することが困難である事によって実現が非常に困難である。今回我々は蛍光体に高エネルギー電子線を照射することによる蛍光体への長残光性の付与について検討を行なった。実験によってZnS:Cu蛍光体において長残光性が出現することを確認した。