The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[21a-S423-1~10] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

Mon. Mar 21, 2016 9:30 AM - 12:00 PM S423 (S4)

Atsushi Koizumi(Osaka Univ.)

10:30 AM - 10:45 AM

[21a-S423-5] First Principle Calculation and Analysis of Surface Defect Levels to Characterize Temperature Dependence of Quantum Efficiency in YAG:Ce3+ Phosphors.

Nobuaki Nagao1, Nitta Mitsuru1, Inada Yasuhisa1 (1.Panasonic Corp.)

Keywords:Phosphor,First Principle Calculation,Temperature Dependence

YAG:Ce3+蛍光体を車載用ヘッドランプ等の高出力用途や薄膜蛍光体を用いた指向性光源デバイスなどに使用する場合は温度上昇による変換効率の低下、即ち温度特性が大きな問題となる。そこで我々は、YAG:Ce3+蛍光体が温度特性に与える影響について検討を行い、併せて第一原理計算による表面欠陥準位の解析を行った。その結果、表面準位および第2~第4層の酸素欠陥準位がCe3+の4fと5d準位の間に位置し励起準位からカスケードで容易に基底準位に遷移し得ることを明らかにした。