2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.9 光物性・発光デバイス

[21a-S423-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

2016年3月21日(月) 09:30 〜 12:00 S423 (南4号館)

小泉 淳(阪大)

10:30 〜 10:45

[21a-S423-5] YAG:Ce3+蛍光体の温度特性における欠陥準位の影響の解析

長尾 宣明1、新田 充1、稲田 安寿1 (1.パナソニック)

キーワード:蛍光体、第一原理計算、温度特性

YAG:Ce3+蛍光体を車載用ヘッドランプ等の高出力用途や薄膜蛍光体を用いた指向性光源デバイスなどに使用する場合は温度上昇による変換効率の低下、即ち温度特性が大きな問題となる。そこで我々は、YAG:Ce3+蛍光体が温度特性に与える影響について検討を行い、併せて第一原理計算による表面欠陥準位の解析を行った。その結果、表面準位および第2~第4層の酸素欠陥準位がCe3+の4fと5d準位の間に位置し励起準位からカスケードで容易に基底準位に遷移し得ることを明らかにした。