[21a-S611-11~20] 3.5 Laser system and materials

[21a-S611-14] Demonstration of mode-locked Ti:sapphire laser pumped by wavelength multiplexing using green and blue InGaN diode lasers

〇Ryota Sawada¹, Hiroki Tanaka¹, Ryosuke Kariyama¹, Fumihiko Kannari¹ (1.Keio Univ.)

Keywords:Ti:sapphire,laser diode

青色InGaN半導体レーザー(LD)の高出力化に伴い、LD直接励起Ti:sapphireレーザーによる超短パルス発生が実現されている。しかし、励起波長が450nm付近の場合、励起誘起吸収と呼ばれる寄生損失の増加が報告されている。我々は励起誘起吸収の発生しない478nmのLDを用いた励起を実現した。本講演では緑・青色LDを複数台用いたTi:sapphireレーザーの高出力化について報告する。