[21a-W241-1~12] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

[21a-W241-6] MBE法による強磁性窒化物Ni_xFe_4-xN薄膜のエピタキシャル成長

〇(B)高田 郁弥¹、伊藤 啓太^1,2,3、具志 俊希¹、東小薗 創真¹、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大　数理物質、2.東北大　工、3.学振)

キーワード：スピントロニクス、磁性薄膜、分子線エピタキシー