[21a-W323-1~10] 9.4 Thermoelectric conversion

[21a-W323-10] Electronic structure on quaternary Si-based Clathrates Rb-Na-X-Si (X=Ga, Zn)

〇Koji Akai¹, Kengo Kishimoto¹, Tsuyoshi Koyanagi¹, Setsuo Yamamoto¹ (1.Yamaguchi Univ.)

Keywords:Thermoelectrics,Clathrate semiconductor,electronic structure calculation

本研究ではホスト原子の置換量を抑制できるアルカリ元素充填系に注目する。最近、4元系SiクラスレートRb-Na-X-Si(X=Ga, Zn)が合成された。この物質の可能性を電子構造計算により調べる。