[21a-W323-1~10] 9.4 熱電変換

[21a-W323-10] 4元SiクラスレートRb-Na-X-Si(X=Ga,Zn)の電子構造

〇赤井 光治¹、岸本 堅剛¹、小柳 剛¹、山本 節夫¹ (1.山口大)

キーワード：熱電変換、クラスレート半導体、電子構造計算

本研究ではホスト原子の置換量を抑制できるアルカリ元素充填系に注目する。最近、4元系SiクラスレートRb-Na-X-Si(X=Ga, Zn)が合成された。この物質の可能性を電子構造計算により調べる。