[21a-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [21a-W541-12] 逆バイアス電圧印加n型GaNショットキーバリアダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したサブバンドギャップ光吸収による光電流

〇(B)前田 拓也¹、岡田 政也²、上野 昌紀²、山本 喜之²、堀田 昌宏³、須田 淳³ (1.京大工、2.住友電工、3.京大院工)

キーワード：窒化ガリウム、ショットキーバリアダイオード、光電流

前回、我々は、n-GaN ショットキーバリアダイオード(SBD)の光電流のメカニズムについて、照射光の光子エネルギーがバンドギャップより小さいが障壁高さより大きい場合、照射光がGaNを透過し、裏面で反射されてショットキー界面に到達し、内部光電子放出(Internal Photoemission, IPE)によって光電流が生じること、また、光電流の波長依存性をFowlerプロットすると直線となり、障壁高さを精度よく求められることを報告した。今回、逆バイアス電圧を増加させていくと、ある電圧から光電流が急増することを見いだし、これをFranz-Keldysh (F-K)効果に起因したサブバンドギャップ光吸収で半定量的に説明できることが分かったので報告する。