[21a-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-W541-4] Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の2次元評価(2)

〇新郷 正人¹、伊藤 尊史¹、柏木 行康²、重宗 翼³、小泉 淳³、児島 貴徳³、斉藤 大志²、松川 公洋²、藤原 康文³、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.大阪市工研、3.阪大院工)

キーワード：界面顕微光応答法、Agナノインク、ショットキー接触

GaN基板の表面が一般に高い撥水性を示すことに着目し、Agナノインクの重ね塗り回数が少ない場合における電極の形状と電気的特性を明らかにする検討を行った。顕微光応答法より電極界面の2次元評価を行った結果、ディスペンサ1回塗布の試料では数μｍ平方の接触面積をもつことが観察され、4回塗布では結合により塗布領域の大部分から信号が得られた。本手法は不均一な形状をもつ電極に対しても有効な評価手法であることが実証できた。