2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.2 評価・基礎物性

[21a-W631-1~11] 12.2 評価・基礎物性

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:00 W631 (西6号館)

関 修平(京大)、山田 亮(阪大)

10:15 〜 10:30

[21a-W631-6] マイクロ波法を用いたn型有機半導体の界面電子移動度評価

井上 純一1、筒井 祐介1、崔 旭鎮1、櫻井 庸明1、関 修平1 (1.京大院工)

キーワード:有機半導体、電子移動度、マイクロ波伝導度測定法

我々が考案したFI-TRMC法では、電界により注入した電荷の半導体/絶縁体界面の局所移動度を測定することが可能である。本手法により2Cy-NDI、2Cy-PDI、2C8-PDIの電子移動度µeを測定した結果、FET法による報告より高いµeが得られた。不純物や粒界の影響を最小限に留める本手法は、材料のより本質的な物性を反映していると思われる。また、有機蒸着時の基板温度を昇温することで、移動度の上昇とモルフォロジーの変化を観測し、その相関を明らかにした。