[21a-W641-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[21a-W641-2] 正方晶/菱面体晶Pb(Zr_xTi_1-x)O₃人工超格子薄膜における圧電応答の層厚依存性

〇山田 智明^1,2、海老原 洋平¹、坂田 修身^3,4、森岡 仁⁵、木口 賢紀⁶、清水 荘雄⁴、舟窪 浩⁴、吉野 正人¹、長崎 正雅¹ (1.名古屋大、2.JSTさきがけ、3.物質・材料研究機構、4.東工大、5.BrukerAXS、6.東北大)

キーワード：強誘電体薄膜、人工超格子、圧電特性

本研究では、強誘電体の電気的境界条件が圧電応答に与える影響を明らかにするために、分極方位が異なる強誘電体を接合したヘテロ界面に着目した。Pb(Zr_xTi_1-x)O₃(以下PZT)のZr/Ti比xが異なる正方晶PZTと菱面体晶PZTを交互に積層した人工超格子薄膜を作製し、圧電特性の層厚依存性を調べた。