[21a-W641-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[21a-W641-6] 化学溶液法によるピエゾMEMSデバイス向けPZT薄膜形成

〇河原 正美¹、KIM SEUNG-HYUN² (1.(株)高純度化学研、2.Brown大)

キーワード：PZT、ゾルゲル、MEMS

ピエゾ効果を持つ物質は高機能センサー、アクチュエーター、超音波探査など、様々な分野で応用されている。強誘電体としての性質を持つPZT薄膜は、電気的な刺激により大きな変異を取り出すことが出来るため、MEMSの応用面では最も重要視されている。PZT 薄膜を形成する方法として、化学溶液法（CSD法）は有効な技術の一つである。高品質かつ量産性に優れたPZT薄膜を形成することを目的とし、我々が開発した材料にて作成した薄膜は、ボイドの少ない、より高純度、高品質な薄膜の形成を可能とした。PZT薄膜用のCSD溶液開発の経緯を企業視点にてご紹介し、本CSD溶液を使用したピエゾMEMSデバイスの応用についてふれる。