2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[21a-W641-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:15 W641 (西6号館)

山田 智明(名大)、平永 良臣(東北大)

11:00 〜 11:15

[21a-W641-8] 強誘電体薄膜のドメインダイナミクスと負のキャパシタンスの第一原理計算

笠松 秀輔1、渡邉 聡2、Han Seungwu3、Hwang Cheol Seong3 (1.東大物性研、2.東大院工、3.ソウル大)

キーワード:強誘電体、薄膜、キャパシタンス

最近、いくつかの実験から強誘電体薄膜が負の誘電率を示すことが示唆されている。しかしながら、負の誘電率の微視的起源、特に、薄膜化によって生じる微細な分極ドメイン構造のダイナミクスと、負の誘電率発現の関連が良く分かっていない。そこで本研究では、180度ドメイン壁を有する強誘電体/常誘電体キャパシタ構造に対してバイアス電圧を印加した第一原理計算を行い、ドメイン構造の応答とキャパシタンスの計算を行った。