[21a-W834-1~5] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

△ [21a-W834-3] 絶縁性FeSe極薄膜における電界誘起超伝導

〇半沢 幸太¹、佐藤 光¹、平松 秀典^1,2、神谷 利夫^1,2、細野 秀雄^1,2 (1.東工大応セラ研、2.東工大元素戦略)

キーワード：トランジスタ、電界誘起超伝導、超伝導

超伝導体FeSeは、単結晶基板上に数10 nm以下の極薄膜を成長させると絶縁体的な電気抵抗の温度依存性を示す。本研究では、その振る舞いが電子相関の強い銅酸化物母相と類似していると考え、電気二重層トランジスタによるキャリアドーピングを行うことで高Tc超伝導転移を狙った。最適化された条件で電気二重層トランジスタを作製し、ゲート電圧を＋4.0 V以上印加することにより、絶縁体的な振る舞いから超伝導体への転移が観察された。