[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-14] 熱アニールによるHfO₂膜変化の導電AFM観察

〇三沢 源人¹、島 久¹、内藤 泰久¹、秋永 広幸¹ (1.産総研)

キーワード：酸化ハフニウム、導電AFM、酸化還元

遷移金属酸化物を用いた抵抗変化メモリReRAMの材料におけるデバイス機能発現のための熱アニール工程の前後について、Ti上に成膜したHfO₂薄膜を導電AFMで測定したところ、局所的な導電箇所の発生が確認された。