[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-18] Cu/Ta₂O₅界面の酸化還元反応と抵抗スイッチ動作の湿度依存性

〇鶴岡 徹¹、マヌカン セドリック¹、長谷川 剛²、青野 正和¹ (1.物材機構、2.早稲田大)

キーワード：酸化物、酸化還元反応、吸湿

制御された湿度下でCu/Ta₂O₅界面の酸化還元反応とその抵抗スイッチ動作をサイクリックボルタンメトリ(CV)と電流-電圧(I-V)測定により調べた。CV曲線から見積もったイオン濃度と拡散係数は，高い相対湿度(RH)で酸化還元反応速度の増大とプロトン伝導の寄与を示唆する。I-V測定は，あるRHで不揮発性から揮発性のスイッチ動作の変化を見せる。これらの結果は，母体酸化物薄膜の吸湿が抵抗スイッチ動作の理解と制御に重要であることを示している。