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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月21日(月) 13:00 〜 18:45 H111 (本館)

島久(産総研)、内藤泰久(産総研)

13:15 〜 13:30

△ [21p-H111-2] 二層絶縁層を有するMoO_x/Al₂O₃抵抗変化型メモリ動作のTEMその場観察

〇平田周一郎¹、高橋謙仁¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：TEM、ReRAM

　　　