[21p-H111-1~22] 6.3 Oxide electronics

△ [21p-H111-3] Analog memory characteristics of resistance random access memories

〇Mingyu Jo¹, Reon Katsumura¹, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi¹, Masashi Arita¹, Yasuo Takahashi¹, Hideyuki Ando², Takashi Morie² (1.Hokkaido Univ., 2.Kyushu Inst. Tech.)

Keywords:ReRAM

抵抗変化型メモリ（ReRAM）は金属の間に絶縁層を挟んだシンプルな構造の不揮発性デバイスである。近年、その抵抗を制御することで2値動作だけでなく、多値動作への応用も期待されている。また抵抗を離散的ではなくアナログ的に制御することで更なる応用ができる。本研究ではMoO_xを絶縁層として用いたReRAMデバイスのアナログ的抵抗制御について検討した。