2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月21日(月) 13:00 〜 18:45 H111 (本館)

島 久(産総研)、内藤 泰久(産総研)

13:45 〜 14:00

[21p-H111-4] Ta2O5を用いた抵抗変化型メモリの多値・アナログメモリ動作

勝村 玲音1、Grönroos Mika1、福地 厚1、有田 正志1、高橋 庸夫1、安藤 秀幸2、森江 隆2 (1.北大・院情報、2.九工大・生命体工)

キーワード:抵抗変化型メモリ、ReRAM