[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [21p-H111-4] Ta₂O₅を用いた抵抗変化型メモリの多値・アナログメモリ動作

〇勝村 玲音¹、Grönroos Mika¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹、安藤 秀幸²、森江 隆² (1.北大・院情報、2.九工大・生命体工)

キーワード：抵抗変化型メモリ、ReRAM