[21p-H111-1~22] 6.3 Oxide electronics

[21p-H111-7] Investigation on Characteristic of Resistive RAM of RF Sputtered BaTiO₃ Thin Film

〇Sou Maejima¹, Shuhei Hashimoto¹, Sugie Toshiyuki¹, Ziyang Zhang¹, Yamasita Kaoru¹, Noda Minoru¹ (1.Kyoto Inst.Tech.)

Keywords:barium titianate,characteristic of resistive random access memory,sputter deposition

現状のフラッシュメモリを凌駕する最有力候補の一つとして，不揮発性メモリの一種である抵抗変化型メモリ ReRAM (Resistance Random Access Memory) が検討されてきたが，その動作原理については未だ解明されていない。今回RFスパッタ法において，電気特性向上のため，製膜条件を変更し，結晶状態の異なるサンプルを作製することで，さらに結晶状態と抵抗ヒステリシスの相関について検討した。