[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [21p-H111-9] スパッタ堆積SiO₂膜の抵抗変化現象の特徴

〇赤野 拓哉¹、山口 凛太朗¹、佐藤 伸吾¹、大村 泰久¹ (1.関西大)

キーワード：SiO2、抵抗変化現象、コンプライアンス電流

遷移金属を母材としない酸化膜について抵抗変化現象の可否が議論されている。本報告では、スパッタ堆積SiO₂薄膜の抵抗変化現象の本質的な理解に向けて検討した結果を述べる。reset発生がset条件に強く依存すること、並びに、set時のcompliance電流値の増減方向に強く依存することを見出した。set時のcompliance電流によってresetを誘発させるメカニズムがそれぞれこのなることが推定できる実験結果をえた。