Electrical characteristics of rapid heat-treated InSb film

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2016年3月21日(月) 13:15 〜 16:45 H112 (本館)

16:30 〜 16:45

〇(D)Koswaththage Charith Jayanada¹、Noguchi Takashi¹、Taniguchi Shinichi²、Yoshitome Shokichi² (1.Univ. of the Ryukyus、2.e-tec INC.)

キーワード：InSb,Thermal Annealing,Hall Mobility