[21p-H112-1~13] 15.3 III-V-group epitaxial crystals

[21p-H112-3] Effect of GaAs interlayers in InGaAs/GaAsP multiple quantum wells for photovoltaic application

〇Kentaroh Watanabe¹, Tomoyuki Inoue², Kasidit Toprasertpong², Delamarre Amaury², Hassanet Sodabanlu¹, Masakazu Sugiyama², Yoshiaki Nakano^1,2 (1.RCAST, Univ. of Tokyo, 2.Eng., Univ. of Tokyo)

Keywords:Multiple Quantum Well,MOVPE,Optical characterization

太陽電池応用を目指したInGaAs/GaAsP多重量子井戸構造の結晶成長において、InGaAs井戸層とGaAsP障壁層の間にごく薄いGaAs緩衝層を導入することでより大きな積層数まで表面の平坦性を維持しつつ成長することができる。この緩衝層の影響について調査するため、GaAs pin構造のi層中にこの多重量子井戸を導入し、太陽電池としての性能評価を行った。その結果、緩衝層がある場合では開放電圧の増大がみられ、エレクトロルミネッセンス評価に基づく内部発光効率も向上することが確認された。