[21p-H112-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[21p-H112-5] InGaAsN/GaAsSbタイプII量子井戸ダイオードのアニール効果（Ⅱ）

〇河村 裕一^1,2、宍戸 郁哉¹、田中 章¹、川又 修一^1,2 (1.大阪府立大工、2.地域連携研究機構)

キーワード：化合物半導体、量子井戸

InGaAsN/GaAsSbタイプII量子井戸ダイオードの発光特性に対するアニール効果について調べた。その結果６００℃アニールにより波長４μｍまで長波長化した。