[21p-H121-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21p-H121-14] アニール処理AlN下地層上AlGaN/AlN-MQWの光学特性

〇袴田 淳哉¹、草深 敏匡¹、千賀 崇史¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、三宅 秀人²、赤崎 勇^1,3 (1.名城大・理工、2.三重大・工、3.名古屋大・赤崎記念研究センター)

キーワード：AlN

高性能紫外発光素子の実現にサファイア上高品質AlN層の結晶成長は極めて重要である。これまで、サファイア上AlNを高温でアニールすることで結晶性が改善されるという報告がある。本研究では、アニールして高品質化したサファイア上AlN層を下地層としてMQW構造を再成長させ、その光学特性評価により、アニールしたAlN下地層の有用性を検討した。