[21p-H121-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21p-H121-17] Temperature dependence of the nitride-based HFET structure photosensors

〇Saki Ushida¹, Akira Yoshikawa^1,3, Yuma Yamamoto¹, Toshiki Okumura¹, Motoaki Iwaya¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Akasaki Research Center, Nagoya Univ., 3.Asahi-Kasei.)

Keywords:semiconductor,photosensors

光電子増倍管は高感度光センサであるが、コスト面や機械的に脆弱であるなどの問題点がある。したがって、光電子増倍管に劣らない受光感度、リジェクション比を持つ固体デバイスが実現できれば有用性は高い。これまで、本グループでは受光端波長が220~280 nmのHFET型光センサを報告してきた。本研究では、窒化物半導体を用いたHFET型センサの低温特性を評価し、素子冷却によって、暗電流の低減、光電流の増大が可能であることを明らかにしたので報告する。