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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-H121-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月21日(月) 13:15 〜 18:00 H121 (本館)

宮嶋孝夫(名城大)、石井良太(京大)、新田州吾(名大)

14:45 〜 15:00

[21p-H121-7] 深紫外AlGaN MQW発光層のCL強度マップ温度依存性

大橋隆宏¹、白岩佳子¹、〇鳥羽隆一¹ (1.東北大学大学院　環境科学研究科)

キーワード：窒化物半導体

　　　