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[21p-H137-22] Electrical States of Conductive Ceramic Material for Transfer Mold Field Emitter Arrays by First-Principles Calculation(Ⅴ)
Keywords:Field Emitter Arrays,Emitter materials,conductive ceramics
我々は、Field Emitter Arrays(FEAs)を用いた過酷な環境でも耐えられる宇宙用デバイスを実現するため、中本研独自の第一原理計算を用いてCr3Si 結晶構造に格子欠陥を生じさせ、更に酸素O を導入することでCr3Si・SiO2 の結晶構造を仮定し(100)において電子状態を調べ、仕事関数が低下したことを報告した。Oの導入する位置によって格子歪が変わる可能性があるので、Oの導入する位置についても考慮する必要がある。そこで本研究では、第一原理計算を用いてCr3Siに導入するOの位置を変えることによる仕事関数の変化を調べ、Cr3Si・SiO2の仕事関数が低下するメカニズムの解明の手がかりを得る。