[21p-KD-1~9] Advanced high efficiency and low cost crystal silicon solar cells

[21p-KD-6] Effect of Resistivity of Si wafer for Rear Emitter Si Solar Cell

〇Tatsuro Watahiki¹, Yumiko Kobayashi¹, Takayuki Morioka¹, Shinya Nishimura¹, Daisuke Niinobe¹, Kunihiko Nishimura¹, Hidetada Tokioka¹, Mikio Yamamuka¹ (1.Mitsubishi Electric Corp.)

Keywords:solar cell

ｎ型Si太陽電池は、p型Siよりも少数キャリアのライフタイムが高いなどの利点を有するため、高効率化が期待できる。しかしn型Siウェハは、リンの偏析係数が小さいため、インゴット中での比抵抗の分布が大きくなる。そこで今回裏面エミッタ型Si太陽電池における基板比抵抗の影響を調べた。その結果、開放電圧は比抵抗の影響をほとんど受けないものの、短絡電流は比抵抗が小さくなるにつれて、大きく減少することが分かった。これはリン拡散によって形成された表面電界構造の効果が比抵抗によって変化するためである。