[21p-KD-1~9] 次世代高効率・低コスト結晶シリコン太陽電池

[21p-KD-6] 裏面エミッタ型結晶シリコン太陽電池における基板比抵抗の影響

〇綿引 達郎¹、小林 裕美子¹、森岡 孝之¹、西村 慎也¹、新延 大介¹、西村 邦彦¹、時岡 秀忠¹、山向 幹雄¹ (1.三菱電機)

キーワード：太陽電池

ｎ型Si太陽電池は、p型Siよりも少数キャリアのライフタイムが高いなどの利点を有するため、高効率化が期待できる。しかしn型Siウェハは、リンの偏析係数が小さいため、インゴット中での比抵抗の分布が大きくなる。そこで今回裏面エミッタ型Si太陽電池における基板比抵抗の影響を調べた。その結果、開放電圧は比抵抗の影響をほとんど受けないものの、短絡電流は比抵抗が小さくなるにつれて、大きく減少することが分かった。これはリン拡散によって形成された表面電界構造の効果が比抵抗によって変化するためである。