[21p-P12-1~55] 2 放射線（ポスター）

[21p-P12-10] 単結晶CdTeへのArプラズマとUVオゾンによる表面処理効果

〇(M1)柿本 祐輔¹、岸原 弘之²、市岡 聖菜²、徳田 敏²、吉牟田 利典²、佐藤 敏幸^1,2 (1.奈良先端科学技術大物質、2.(株)島津製作所)

キーワード：CdTe、半導体放射線検出器、プラズマ処理

2次元X線検出器の高精細化を目指し、検出器画素サイズの微細化の検討を行った。検出器材料として、単結晶CdTeを用い、結晶表面に微細な画素を形成するには、プラズマを用いた表面処理・加工技術の向上が欠かせない。HeやH₂等によるプラズマエッチングの報告があるが¹⁾、本研究ではArプラズマエッチング前処理と電極形成後のUV処理をCdTe単結晶に施し、それらのCdTe表面状態や電気的特性への影響を評価した。
【1】A.Higa, I. Owan, H.Toyama, M.Yamazato, R.Ohno, M Toguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 46(5) (2007) 2869