[21p-P15-1~23] 3.8 Optical measurement, instrumentation, and sensor

[21p-P15-17] Wavelength dependence of nonlinear response for Silicon Photodiodes at visible light

〇Minoru Tanabe¹, Kuniaki Amemiya¹, Takayuki Numata¹, Daiji Fukuda¹ (1.AIST)

Keywords:Photodiode,Nonlinearity,Visible light

シリコンフォトダイオード(Si-PD)は、広い波長域かつ広い光パワーに対して応答を示すため、光情報通信や光メモリ、医療や科学分析などの光測定機器の光検出器の一つとして広く利用されている。この様な領域において、光の精密測定を実施するには、入射の光強度に対して応答出力が直線的であることが理想とされる。ところが、Si-PDの個体によっては、入射波長に対して応答が増加する非直線性（スーパリニアリティ）を示すことがある。スーパリニアリティは、Siバルク内での再結合が過剰に発生したキャリアによって飽和し、その残りのキャリアが光電流となって検出される現象で、入射波長に依存する。そこで、本研究では、この入射波長に依存したSi-PDの応答非直線性の定量的に解明するため理論と実測を用いた研究を実施している。