[21p-P3-1~21] 6.2 カーボン系薄膜

[21p-P3-13] フッ素化非晶質炭素薄膜の極低温合成および物性評価

〇齋藤 登之¹、年森 隆明¹、小林 直樹¹、佐藤 哲也¹ (1.山梨大学)

キーワード：アモルファスカーボン

我々は、H原子のトンネル反応と電子線誘起反応を組み合わせた薄膜合成法(EBICVD-LTTR法)により、種々の炭化水素やフルオロカーボンを原料に用いてアモルファスカーボン薄膜(a-C:H, a-C:F:H)の極低温合成を試みてきた。a-C:Hは昇華温度よりやや低い温度で合成した場合緻密性が高く、サブサーフェスにおける水素定常濃度が薄膜の物性および構造を支配する主要因子であることを見出している。本実験では炭化水素にFを添加することによりHの引き抜き効果と構造に及ぼす影響を明らかにすることを目的とした。