2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[21p-P6-1~4] 8.5 プラズマナノテクノロジー

2016年3月21日(月) 13:30 〜 15:30 P6 (屋内運動場)

13:30 〜 15:30

[21p-P6-2] 高周波マグネトロンプラズマCVDによるグラフェンの成長と解析

〇(B)石徹白 智1、山田 隼也1、河村 侑馬1、林 康明1 (1.京都工繊大)

キーワード:グラフェン、高周波マグネトロンプラズマ

高周波(RF)マグネトロンプラズマCVD法を用いてグラフェンの成長を行い、グラフェンの成長過程における気相プラズマの状態を発光分光法およびプローブ法により解析し、その反応過程を調べた。
プラズマ発光スペクトルのHα(656.3nm), CH (431.3nm ), C2 (516.5nm) ピーク相対強度の圧力依存性より圧力が低い場合は、気相中のCH, C2のラジカル密度が相対的に低いことが推察された。