2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[21p-P8-1~5] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

2016年3月21日(月) 13:30 〜 15:30 P8 (屋内運動場)

13:30 〜 15:30

[21p-P8-1] ミストCVD法を用いて作製したZnS薄膜の光学特性評価

〇(M1)浅野 康幸1、宇野 和行1、山崎 佑一郎1、田中 一郎1 (1.和歌山大学)

キーワード:ミストCVD成長、硫化亜鉛、CVD成長

我々は、硫化亜鉛(ZnS)を水溶液を用いたミストCVD法によって作製し、フォトルミネッセンス(PL)の温度特性を測定した。400~500nmにブロードなピークが見られ、成長温度が高いほどPLピーク強度が大きくなることが分かった。これは成長温度が高いほど硫黄空孔が増えることを反映した硫黄空孔からの発光であると考えられる。またPL強度の温度依存性から、硫黄空孔が高効率な発光再結合中心を形成していることが分かった。