[21p-P9-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[21p-P9-2] エックス線吸収微細構造（XAFS）法によるMOCVD成長ゲルマニウムスズ（GeSn）薄膜の局所構造評価

〇臼田 宏治¹、吉木 昌彦¹、須田 耕平²、小椋 厚志²、富田 充裕¹ (1.東芝、2.明治大学)

キーワード：GeSn、XAFS、放射光

GeSn薄膜は、Siに代わる高移動度チャネル、ひずみストレッサー、或いは光学素子材料などへの応用が期待される。我々は、MOCVD法による高品質GeSn薄膜の成長技術を検討しているが、膜中の微量なSn原子周辺の局所構造など、Sn原子特有の結晶構造の詳細については議論の余地がある。今回、放射光を用いたエックス線吸収微細構造法（XAFS）によるGeSn薄膜の局所構造評価を試みたので報告する。