[21p-P9-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[21p-P9-7] 微傾斜基板を用いた伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のモフォロジー及び素子特性

〇宇津山 直人¹、佐藤 圭¹、山田 崇峰¹、有元 圭介¹、山中 淳二¹、中川 清和¹、原 康介¹、宇佐美 徳隆²、澤野 憲太郎³ (1.山梨大クリスタル研、2.名古屋大、3.東京都市大総研)

キーワード：半導体、歪みSi