[21p-S011-1~20] 17.2 グラフェン

[21p-S011-13] グラフェンの界面挿入による金属/p型SiCのオーミックコンタクト形成

〇藤井 健志¹、佐藤 まり子¹、稲本 拓朗¹ (1.富士電機)

キーワード：グラフェン、シリコンカーバイド

p型SiCのコンタクト形成において、電極とp型SiCの界面に僅か数層のグラフェンを挿入するとI-V特性はショットキーからオーミックへと変化し、劇的にコンタクト抵抗が低減することを見出した（ex. 抵抗比＞4桁＠－1 V）。この結果は、グラフェンを利用したコンタクト形成がp型wide-band gap半導体の界面制御技術として極めて有用であることを示唆している。