[21p-S221-1~14] 13.10 化合物太陽電池

[21p-S221-2] 低温製膜における単傾斜構造を有するCu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の界面価電子帯制御による高効率化

〇荻原 知寛¹、サドノ アディユダ¹、山田 明^1,2 (1.東工大理工院、2.東工大PVREC)

キーワード：太陽電池、CIGS

Cu(In,Ga)Se₂を用いたフレキシブル太陽電池において、現在最高効率が得られているフレキシブル基板であるポリイミドは、通常の製膜温度では炭化してしまうため、CIGSの低温製膜が必要である。しかし、低温製膜におけるCIGS太陽電池は狭いバンドギャップ領域ができてしまうため変換効率が低い。そこで単傾斜構造に着目し、PN界面の価電子帯を不連続にすることで、二重傾斜構造を持つものよりも高い変換効率を実現することに成功した。