[21p-S223-1~17] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[21p-S223-13] Photoluminescence properties of post-annealed β-FeSi₂ films

〇Kensuke Akiyama^1,3, Yoshihisa Matsumoto¹, Takanori Kiguchi², Hiroshi Funakubo³ (1.Kanagawa Ind.Tec.Cen., 2.IMR Tohoku Univ., 3.Tokyo Inst. Tech.)

Keywords:iron silicide,photoluminescence

β-FeSi₂の実用化には発光効率の向上が求められている。これまでに我々は、Si基板表面の改質を行うことによって合成されたβ-FeSi₂薄膜の 10KでのPL発光強度が増大化することを報告した。このPL発光強度の増大化は薄膜内部、およびSiとのヘテロ界面部の非輻射再結合中心密度が低減することに起因すると考える。本発表では、ポストアニーリング処理におけるPL発光特性について調査し、これら非輻射再結合中心密度との関連について報告する。