[21p-S223-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[21p-S223-13] β-FeSi₂薄膜のPL発光特性に及ぼすアニール処理の影響

〇秋山 賢輔^1,3、松本 佳久¹、木口 賢紀²、舟窪 浩³ (1.神奈川産技セ、2.東北大金研、3.東工大総理工)

キーワード：鉄シリサイド、フォトルミネッセンス特性

β-FeSi₂の実用化には発光効率の向上が求められている。これまでに我々は、Si基板表面の改質を行うことによって合成されたβ-FeSi₂薄膜の 10KでのPL発光強度が増大化することを報告した。このPL発光強度の増大化は薄膜内部、およびSiとのヘテロ界面部の非輻射再結合中心密度が低減することに起因すると考える。本発表では、ポストアニーリング処理におけるPL発光特性について調査し、これら非輻射再結合中心密度との関連について報告する。