講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[21p-S223-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2016年3月21日(月) 13:30 〜 18:00 S223 (南2号館)

山口憲司(原子力機構)、原康祐(山梨大)

17:15 〜 17:30

[21p-S223-15] VGF法によるMg₂Si結晶成長における原料の形状・純度と封止材のハロゲン処理の影響

〇(M1)和田大輝¹、庄野大貴¹、勝俣裕¹、櫻木史郎² (1.明大理工、2.ユニオンマテリアル(株))

キーワード：Mg2Si、垂直温度勾配凝固法、熱電素子

　　　