2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[21p-S223-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2016年3月21日(月) 13:30 〜 18:00 S223 (南2号館)

山口 憲司(原子力機構)、原 康祐(山梨大)

13:45 〜 14:00

[21p-S223-2] アンドープBaSi2蒸着膜へのポストアニール効果

須原 貴道1,2、村田 晃一2、Navabi Aryan2、Che Xiaoyu2、中川 慶彦1、原 康祐3、黒川 康良1、末益 崇4、Wang Kang L.2、宇佐美 徳隆1 (1.名古屋大、2.UCLA、3.山梨大、4.筑波大)

キーワード:BaSi2、蒸着膜、ポストアニール

単接合太陽電池用の新材料として期待されるBaSi2の蒸着膜を薄膜形成後にポストアニールを行い、ホール測定を行ってアニール前後での比較を行った。ポスアニール後、導電率はより半導体的な挙動をみせ電子密度はMBE膜での値に近づいた。