2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[21p-S223-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2016年3月21日(月) 13:30 〜 18:00 S223 (南2号館)

山口 憲司(原子力機構)、原 康祐(山梨大)

14:00 〜 14:15

[21p-S223-3] 高速成膜によるBaSi2蒸着膜の構造・特性変化

原 康祐1、Trinh Thi Cham2、黒川 康良2、有元 圭介1、山中 淳二1、中川 清和1、末益 崇3、宇佐美 徳隆2 (1.山梨大クリスタル研、2.名大院工、3.筑波大院数理物質)

キーワード:バリウムシリサイド、太陽電池、真空蒸着

BaSi2蒸着膜の電気的特性制御を目指して、堆積速度がキャリア密度と構造に与える影響を調査した。Hall測定の結果、堆積速度の増加により、電子密度は1019 cm−3から1017 cm−3まで低下することが分かった。また、同時に、ラマン散乱バンドの半値幅は低下したため、多数キャリアである電子は結晶欠陥に由来することが示唆される。